Ciencia
El CSIC participa en un estudio internacional que ha integrado por primera vez un material bidimensional sobre transistores de silicio. El dispositivo abre la puerta a la fabricación de circuitos electrónicos de bajo consumo y alta durabilidad.
Es la primera vez que se crea un microchip de alta densidad realizado con materiales bidimensionales, es decir, en 2D. Se trata de unas membranas ultradelgadas que poseen excelentes propiedades eléctricas, físicas y térmicas. Este trabajo, publicado en la revista Nature, abre la puerta a la fabricación de circuitos electrónicos de bajo consumo y alta durabilidad.
¿Para qué servirán?
Podrían utilizarse en la creación de redes neuronales artificiales para sistemas de inteligencia artificial o en dispositivos de última generación de almacenamiento de datos. La investigación está dirigida por Mario Lanza, un científico español de la Universidad de Ciencia y Tecnología del Rey Abdullah, en Arabia Saudí.
Según Miguel Muñoz-Rojo, investigador del CSIC en el Instituto de Micro y Nanotecnolgía,"los efectos térmicos que el material bidimensional produce en microchips de silicio podría ser crucial en el futuro para garantizar la fiabilidad de los dispositivos y para el desarrollo de nuevas aplicaciones”.
Material bidimensional aislante
Se ha integrado por primera vez el nitruro de boro hexagonal multicapa (de unos 6 nanómetros de grosor), sobre microchips que contienen transistores de silicio. Es un tipo de tecnología que está presente en todos los productos electrónicos del día a día, como teléfonos, ordenadores, automóviles o electrodomésticos, entre otros.
Anteriormente se había intentado integrar grafeno en transistores para aplicaciones en el campo de radiofrecuencia, pero la densidad de integración era muy baja y los dispositivos no permitían almacenar o procesar información. “En cambio, nuestros dispositivos tan solo miden 260 nanómetros y podrían realizarse mucho más pequeños y de forma muy sencilla si se dispusiera de una tecnología más avanzada”, explica el investigador principal.
Este trabajo representa un gran avanceen el campo de la nanoelectrónica y los semiconductores. No solo por las altas prestaciones de los dispositivos y circuitos fabricados, sino también debido al alto nivel de madurez tecnológica conseguido.